Los Siliciuros y sus propiedades estructurales y electrónicas: el V1- x Si x en las fases Fcc y Nacl

Autores/as

  • Edison F. Cudris G. Universidad Distrital Francisco José de Caldas Autor/a
  • John H. Díaz F. Universidad Distrital Francisco José de Caldas Autor/a
  • Sonia Abril Universidad Distrital Francisco José de Caldas Autor/a

Palabras clave:

DFT, diagramas de bandas y simulación computacional

Resumen

En este trabajo se presenta, a partir de primeros principios y haciendo uso de la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT), una simulación computacional, de las propiedades estructurales y electrónicas del compuesto V1 - x Six con x=0,0.5 y 1 a una temperatura de 0K. Se obtienen la constante de red, el módulo de volumen, la energía de cohesión y la estructura de bandas, evidenciándose el comportamiento semimetálico del compuesto V1 - x Six con x=0 y 0.5. Se plantea la importancia de posibles aplicaciones en el uso metalúrgico y de materiales, que podría ser utilizado en infraestructuras navales.

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Publicado

2024-03-14

Número

Sección

Artículos

Cómo citar

Los Siliciuros y sus propiedades estructurales y electrónicas: el V1- x Si x en las fases Fcc y Nacl. (2024). Investigación Escuela Ingenieros Militares, 9. https://ingenierosmilitares.edu.co/esingmilco/index.php/cidim/article/view/84